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Psychol Health, 2006, 21(3): 301-317. doi: 10.1080/14768320500286450 [24] 本发明涉及用于测量和评价集成电路制造过程的有关处理与设计的统计变化的方法，以便判定这些变化的来源及其对产品的产量和性能的影响。背景技术在铜(Cu)大马士革半导体制造过程中，凹陷(dishing)和侵蚀(erosion)效应深为人知(见图1、2A和2B)。图1示出了在化学机械抛光(CMP)之前的具有铜12和氧化物11 分类号密级udc注1学位论文屏蔽盒对微带线传输特性影响研究（题名和副题名）由县军（作者姓名）指导教师姓名童玲教授电子科技大学成都（职务、职称、学位、单位名称及地址）申请学位级别硕士专业名称测试计量技术与仪器论文提交日期008.论文答辩日期008.学位授论我国保险保障基金制度建设.pdf. Mstewart20 | 2014-09-11 19:13 .

21 no. 3 气象 2003 年 9 月 sep ,2003 ar id m eteorolo gy 文章编号 :1006 - 7639 ( 2003) - 03 - 0083 - 07 陆面过程观测试验研究进展杨兴国1 ,2 ,牛生杰1 ,郑有飞1 (1. 本发明一般地涉及在评价用于认知障碍的药物治疗的效能中使用的方法，具体地涉及用于推定疾病缓解治疗(putativelydisease-modifyingtreatment)的生理学和心理测验结果。背景技术疾病缓解治疗的临床试验先前已经指出，3，7-二氨基吩噻嗪(DAPTZ)化合物(包括亚甲蓝(“MTC，methylthioniniumchloride”))抑制Tau蛋白 ^ Vipul Verma. "Same monitor yet better viewing".

《大学物理学上册 (吴柳主编) 北京交通大学出版社课后答案》.pdf,习题 1 第 1 章习题 1.1．光在一年里走过的距离称为光年( 26 l.y.),哈勃半径约为 10 m,它等于多少光年？解： 8 15 l.y.= （365 ×24 ×60 ×60 ）×3 ×10 =9.46 ×10 m R=946 ×1013m/1026m=1.05 ×1010 （l.y. ） 26 8 17 或：R=10 m/3 ×10 m/s=3.3 ×10 （l.s. ） =3.3